3-5 주기억장치의 발달과정과 반도체 기억장치

 

주기억장치의 발달과정

-진공관 : 최초의 주기억장치로 사용된 진공관은 크고, 약하며, 열이 많이 발생, 신뢰성이 떨어지고 많은 전류를 필요로 하였다.

 

-자기코어 기억장치 : 1950년대 포레스터가 개발, 20년 동안 사용, 컴퓨터의 발전에 큰 공헌

*자기코어 : 기억소자로 지름이 약 0.3 ~ 0.5mm인 작은 고리 모양의 자성 물질, 주로 페라이트로 제작.

                 : 전류가 오른쪽으로 흐르면(1), 왼쪽으로 흐르면(0), 전원이 꺼진 후에도 기억된다.

 

-반도체 기억장치

: 반도체 칩 속에 집적회로로 만들어 넣은 기억장치

: 열을 많이 발산하지 않음

: 신뢰성이 높고 간편함.

: 경제적이고 많은 용량을 가진다.

: 소형화 추세

: 1960년대에는 한 칩에 1,000개 회로소자를 집적했으나 2000년대에는 1,000억 개의 소자를 집적.

: 전자현미경, 다이아몬드 톱 등의 제반 기술여건의 개발로 대형 생산체제로 칩을 만들 수 있게 됨.

: 자기코어에 기억된 데이터에 대한 접근속도 - 마이크로초(1/10의6슨)

: 반도체 기억장치에 기억된 데이터에 대한 접근속도 - 나노초(1/10의9슨)

: 반도체 기억장치는 계속적으로 일정한 전류의 공급이 필요하다는 단점이 있다.

: 광소자, 조셉슨소자, 갈륨비소소자 등의 사용으로 집적도는 더욱 높아질 예정이다.

 

-RAM(ROM과 반대)

: SRAM - 전원이 공급되는 한 내용이 그대로 유지됨. 캐시메모리로 이용.

: DRAM - 전원이 공급되더라도 내용의 소멸을 방지하기 위해 계속적으로 리프레싱을 해야함. 주기억장치로 이용됨.

 

-ROM

ROM : 메모리가 제작될 때 데이터를 이 안에 기록한다.

PROM : ROM과 같은 기능, 이용자가 PROM을 조립해 넣기 전에 프로그램이나 데이터를 기록할 수 있다.

 

-메모리 기술

: 2021년 512GB DRAM 메모리 모듈 양산

: 플래시메모리 - 전력이 필요 없는 메모리. 충격에 강함.